SJ 50033.126-1997 半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范
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ID： |
32E00D1BE50E4FA78B1EEE29D8541FDA |
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文件大小(MB)： |
0.56 |
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页数： |
12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/126-97,半导体分立器件,2DK13型硅肖特基开关整流,二极管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2DK13 SCHOTTKY,ailicon switching rectifier diode,1997.06.17 发布 !997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2DK13型硅肖特基开关整流,二极管详细规范,SJ 50033/126-97,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2DK13 SCHOTTKY,Silicon switching rectifier diode,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2DK13型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购。.,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33〈半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军,特军和超特,军三级,分别用字母GP,GT和OCT表示,2引用文件,GB 4023-86 半导体分立器件 第2部分 整流二极管,GB 6571 - 86 小功率信号二极管、稳定及基准电压二极管测试方法,GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 - 85 半导体分立器件总规范,GJB 128 -86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33和本规范图1的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布 !997-10-01实施,SJ 50033/126-97,引出端材料应为柯伐丝,引出端表面镀银或浸锡,3.2.2 器件结构,由二个芯片装配,并和底盘、引出端之间采用髙温冶金键合结构。器件2DK14和,2DK13C.D.E.F档为结构相似器件,在B组,C组试验中可以相互替代（但B3分组、C6分组,除外）,3.2.3 外形尺寸,见图1,B2-01B,min nom max,A 9.8,中瓦1.52,仍0.9 LI,加15.0,d 3 .〇.,F 3.0,L 8.5 10.5,Li 1.5,妒4.0 4.2,q 22.8 23.2,号9.5,R2 4.3,s 13.1*,5 31.4,u2 19.0,1一正敬,2一正极，负极接外売,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,型号,10,Tc = 75t,A,Vrrm,V,Vrwm,V,【FSM,A,Top,V r,2DK13C,5,50 40,100 -55-150 -55-175,2DK13D 60 50,2DK13E 70 60,2DK13F 80 70,2,SJ 50033/126-97,3.3.2 主要电特性= 25じ）,型号,Vfmi,[fm = 5A,(pk),V,VfM2,Ifm= 1A,(pk),V,VfM3,[fm = 5A,(pk),岂=-5513,V,Iri,Vr = Vrwa,り二25匕,mA,Ir2,Vr=0.8Vrw;,Tj = 1251C,mA,R(时-,Ih = 4A,t h = 50s,K/W,Ctot,/=lMHz,Vr = 5.0V,pF,trr,If-0.5A,ns,最大值最大值最大值最大值最大值最大值最大值最大值,2DK13C 0.65 0.50 0.80,1,35,15 2000 100,2DK13D,2DK13E 0.70 0.55 0.90,2DK13F,45,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6571及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,当批量小于500时,抽样采用小批量的LTPD,抽样和固定抽样相结合的抽样方案,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（适用于GT和GCT级）,筛选应符合GJB 33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应剔除,筛选,(见 GJB 33 表 2),试验方法,（GJB 128）,测试或试验,质量保证,等 级,L内部目检2073 GT、GCT,2.高温寿命1032 试验条件:1751 z = 48h GT、GCT,3.热冲击（温度循环） 1051 试验条件:-55r~150t循环20次GT^GCT,4,恒定加速度2006 9800m/s2( 10000g) 20s4ぐ60s GT、GCT,6.高温反偏1038,Vr = 0.7Vrwm Ta=125V(GT) fo = 0 t = 48h,Ta =150匕(GCT),GT、GCT,7.中间电参数测试ム2条件见3.3.2 GTsGCT,3,SJ 50033/126-97,续表,筛选,（见 GJB 33 表 2）,试验方法,(GJB 128),测试或试验,质量保证,等 级,8.电老炼1026 Tc=6Otiot,/=5OHz,1。: 5ん正半周导通角大于170-,Vr = 0.8Vrwm,负半周导通角大于150*,?=96h,GT、GCT,9.最后测试,=初始值的100%……
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